在新型的市场环境下，说生难数字使用传统模式越顺利的企业最有可能被新市场淘汰。

EBSD是扫描电镜的一个附件，晚安忘常用来测定材料内部晶体的取向信息。拒绝怎样在EBSD测试中定性后者定量分析材料的位错密度？这确实是国内广大研友经常提问的问题。

利用EBSD定性或定量的分析材料内部的位错密度已经在很多文献被报道，人终今天笔者在这里将这些方法进行梳理。① 潘春旭/武汉大学物理科学与技术学院二级教授——EBSD分析：说生难数字基于应用的交叉与创新 ② 孟利/钢铁研究总院高级工程师——金属及合金形变机制的EBSD分析（答疑时间会很多，说生难数字有问题的请使用APP观看并提问。KAM或LocMis理论上可以定量的计算出几何位错密度，晚安忘反映塑性变形的均匀化程度，数值较高的地方表示塑性变形程度较大或者缺陷密度较高。

拒绝实际上就是所选区域局部取向差的平均值θ。本内容为作者独立观点，人终不代表材料人网立场。

所以以上的公式可以简化为ρGND=2θ/μb图2为AZ31B镁合金在不同循环周期下利用KAM图计算的几何位错密度值，说生难数字利用这些数据可判断出在何种疲劳周期下，说生难数字材料更容易断裂。

图3TiAl合金在经过轧制后形成的GOS图及其分布图[3]4.利用DefRex图定性判断DefRex图可以用来定性判断变形晶粒，晚安忘亚结构以及再结晶晶粒，晚安忘众所周知，变形晶粒内部充满了位错，亚结构的形成需要消耗并吸收部分位错，位错密度较低，但是再结晶晶粒则基本无位错形成。Sci.Adv.：拒绝含有黑磷量子点的钙钛矿薄膜有效提高光伏器件性能不同黑磷量子点添加量的钙钛矿薄膜基器件目前，拒绝在CsPbI2Br中引入金属离子被证明可以显著提高薄膜质量和电荷传输性能。

这一催化剂在玻璃碳电极上表现出了优异的催化活性，人终可在仅仅88mV（HER）和266mV（OER）的过电势下即达到10mA cm−2的性能。再结合理论分析，说生难数字研究人员发现在光致发光实验中，辐射衰减可能主导了其他非辐射衰减通道。

尽管围绕黑磷材料的研究在近年来已经取得了巨大的成就，晚安忘高质量黑磷薄膜的横向合成依然是一个不小的挑战。热处理过程中出现的四相转变能够产生α相CsPbI2Br，拒绝此相可通过黑磷量子点进行稳定化。